國產替代將會是未來 IGBT 行業發展的主旋律之一（附報告目錄）
1、IGBT 功率半導體器件概況
IGBT 是國際上公認的電力電子技術第三次革命具代表性的產品，是工業控制及自動化領域的核心元器件，能夠根據工業裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的。IGBT 核心技術包括 IGBT芯片設計、生產以及 IGBT 模塊的設計、封裝測試等。IGBT 芯片由于其工作在大電流、高電壓、高頻率的環境下，對芯片的可靠性要求較高，同時芯片設計需保證開通關斷、抗短路能力和導通壓降（控制熱量）三者處于均衡狀態，芯片設計與參數調整優化十分特殊和復雜。IGBT 芯片設計是功率半導體器件產業鏈中對研發實力要求很高的環節，國內已有少數企業的技術實力逐步趕上國際主流先進企業水平。
IGBT 功率半導體器件廣泛應用于電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發電、新能源汽車等領域，應用前景十分廣闊。
相關報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2026年IGBT 行業深度調研及發展前景預測報告》
2、IGBT市場規模分析
全球：2019年全球 IGBT 市場規模約為70億美金，2015年-2019年年均增長率達13.7%。
2015-2019年全球IGBT 市場規模及增速分析
資料來源：普華有策
中國：我國 IGBT 市場規模增速快于全球，2015-2019 年我國 IGBT 年年均增長率為 15.5%。受益于新能源汽車和工業領域的需求大幅增加，中國 IGBT 市場規模將持續增長。
3、IGBT 功率半導體器件下游需求情況
受益于下游行業市場需求的推動，特別是在新能源汽車、新能源發電、“十三五”節能環保產業發展規劃等一系列國家政策措施的支持下，我國 IGBT 市場需求持續快速增長。
（1）新興行業加速 IGBT 未來市場
在國際節能環保的大趨勢下，IGBT 下游的新能源汽車、新能源發電、變頻家電等領域發展迅速，對 IGBT 模塊需求逐步擴大，新興行業的加速發展將持續推動 IGBT 市場的快速增長。
新能源汽車行業
IGBT 模塊在新能源汽車領域中發揮著至關重要的作用，是新能源汽車電機控制器、車載空調、充電樁等設備的核心元器件。新能源汽車中的功率半導體價值量提升十分顯著，新能源汽車中功率半導體器件的價值量約為傳統燃油車的 5 倍以上。其中，IGBT 約占新能源汽車電控系統成本的 37%，是電控系統中最核心的電子器件之一，因此，未來新能源汽車市場的快速增長，有望帶動以 IGBT 為代表的功率半導體器件的價值量顯著提升，從而有力推動 IGBT 市場的發展。
充電樁是新能源汽車產業的重要配套設施，其中直流充電樁的核心是以MOSFET、IGBT 為控制單元的充電模塊。未來五年，國內新能源汽車充電樁（站）的直接市場規模有望達到 1,320 億元。充電樁市場的快速發展將推動 IGBT、MOSFET 等半導體功率器件的需求高速增長。
新能源發電行業
由于新能源發電輸出的電能不符合電網要求，需通過光伏逆變器或風力發電逆變器將其整流成直流電，再逆變成符合電網要求的交流電后輸入并網。IGBT 是光伏逆變器和風力發電逆變器的核心器件，新能源發電行業的迅速發展將成為 IGBT 行業持續增長的全新動力。
家電變頻化推升 IGBT 需求
相比于傳統的白色家電，變頻家電除具備高效節能特點外，還能實現精準控制等多樣化功能，而 IGBT 是白色家電實現變頻功能的核心元器件。家用電器的變頻化必然也將推動家用領域功率半導體的發展。
（2）傳統工業控制及電源行業支撐 IGBT 市場穩步發展
工業控制領域是功率半導體最大的市場，IGBT 在工業控制領域有廣泛的應用，應用場景包括變頻器、逆變焊機、電磁感應加熱、工業電源等。
近年來，我國變頻器行業的市場規模總體呈上升態勢。變頻器在冶金、煤炭、石油化工等工業領域的應用規模保持穩定增長，城市化率提升的背景下，變頻器在市政、軌道交通等公共事業領域的需求也將繼續增長。
隨著焊割設備應用企業對焊割設備節能環保性能越來越重視，逆變焊割設備面臨較好的發展機遇，其中逆變焊機的核心部件 IGBT 模塊也有望快速發展。同時，逆變式弧焊電源憑借優異的電源特性在電焊機市場持續滲透，推動逆變式弧焊電源的應用市場規模逐步擴大。隨著變頻器、電焊機、逆變焊機等傳統工業控制及電源行業的發展，IGBT 的市場規模有望持續增長。
（3）IGBT 等功率半導體器件進口替代空間巨大
近年來，我國半導體分立器件行業的產銷規模不斷擴大，對國外產品的進口替代效應不斷凸顯。在國內半導體分立器件市場需求迅速擴大的態勢下，我國對半導體分立器件的進口金額整體下降或持平。未來，隨著國內半導體分立器件行業逐步突破高端產品的技術瓶頸，我國半導體分立器件對進口的依賴將會進一步減弱，進口替代效應將顯著增加。
在全球功率半導體器件產地分布中，不同國家、地區的技術水平與市場地位也有著顯著的差距。我國處于功率半導體器件供應鏈的相對末端，產品以二極管、晶閘管、低壓 MOSFET 等低功率半導體器件為主，而在以新型功率半導體器件如 MOSFET、IGBT、FRED、高壓 MOSFET 為代表的高技術、高附加值、市場份額更大的中高檔產品領域，國外企業擁有絕對的競爭優勢，國內市場所需產品大量依賴進口，與國外企業存在較大差距。
總的來看，我國 IGBT 行業仍存在巨大供需缺口。基于國家相關政策中提出核心元器件國產化的要求，“國產替代”將會是未來 IGBT 行業發展的主旋律之一。