氮化鎵（GaN）產業鏈分析、競爭格局及替代空間分析（附報告目錄）
1、氮化鎵（GaN）產業鏈結構分析
GaN企業產業鏈一般劃分為上游的材料即襯底和外延片、中游的器件和模組、下游的系統和應用。GaN企業材料的應用，主要包括襯底制備和外延工藝兩個環節。襯底是制作半導體器件的基礎材料，一般為外延材料的同質材料或適配的異質材料制成的晶圓片。半導體行業的外延概念，是指在襯底上生長一層新單晶薄膜的過程，新單晶薄膜可以與襯底為同質材料，也可以是異質材料。經過外延生長環節制成的外延片，是半導體器件制造的基礎原材料。
相關報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2027年氮化鎵（GaN）產業細分市場研究與投資前景預測報告》
氮化鎵（GaN）產業鏈結構圖
資料來源：普華有策
氮化鎵（GaN）材料是第三代半導體的代表，其具有出色的抗擊穿能力，耐受更高的電子密度，有更高的電子遷移率，在半導體中通常用于光電子、微波射頻和電力電子三大領域。其中，光電子領域包括了企業LED、激光器等應用，電力電子方向包括了智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等應用，微波射頻方向包含了通信、雷達預警等應用。
GaN企業是藍、綠光企業LED企業的基礎材料，1992企業年，日亞化學工業株式會社的中村修二等人借助藍寶石襯底和氮化鎵銦（InGaN）材料成功實現了高光輸出效率藍光企業LED企業的產業化，其后在藍光企業LED企業芯片上涂覆黃色熒光粉的封裝技術出現，實現了可以實用化的白光企業LED企業產品，開啟了半導體照明及全彩色企業LED企業顯示應用的新時代。
藍寶石是目前企業GaN企業器件使用量最大、最成熟的襯底材料，通過藍寶石襯底制造的企業GaN企業器件通常被歸類為藍寶石上氮化鎵技術產品（GaN on Sapphire），大部分光電應用的企業GaN企業器件都是通過藍寶石襯底外延企業GaN企業制造的。GaN企業半導體器件的另外兩種常用襯底是企業Si企業和企業SiC，通常稱為企業GaN-on-Si（硅基氮化鎵）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵）器件，目前主要應用在射頻器件、功率器件等領域。
2、第三代半導體潛在市場空間巨大
GaN企業主要用于企業LED、企業微波射頻和功率器件等領域，企業目前企業GaN企業主要被用于企業5G企業有源天線系統（AAS）和手機功率放大器（PA）等新產品中。企業展望未來，企業5G企業通訊、企業消費電子快充和車規級充電成為企業GaN企業產品規模擴張的主要動力。
在企業5G企業和更高頻率應用中，企業GaN企業的效率比企業LDMOS/硅器件要高企業10%-15%，企業預計在企業5G企業基站PA企業中份額將持續提升；企業手機快充逐漸普及，企業消費級快充將成為推動企業GaN企業功率器件滲透的重要因素。GaN RF企業市場規模將從企業2019企業年的企業7.4企業億美元增長至超過企業20企業億美元，企業年復合增長率為企業12%；企業此外，預計企業2024企業年企業GaN企業電源市場產值將超過企業3.5企業億美元，企業CAGR企業達企業85%，企業其中企業GaN企業快充將成為推動產業高成長的主要力量。
3、市場格局分析及替代空間廣闊企業
從企業GaAs、GaN企業和企業SiC企業市場競爭格局來看，企業目前化合物半導體產業鏈各環節以歐美、企業日韓和中國臺灣企業為主，企業大陸企業在技術實力、企業產能規模和市場份額方面與領先企業均具有不小差距，企業市場話語權較弱。企業以砷化鎵為例，企業GaAs企業產業鏈可分為上游外延片、企業中游晶圓制造和下游企業GaAs企業元件三大環節，企業三大環節均以海外企業為主導。企業其中，企業上游外延片前三大廠商分別為英國廠商企業IQE（54%）、臺灣廠商企業VPEC（占比企業25%）和日本廠商住友化學（SumitomoChemical），企業CR3企業高達企業92%；企業中游晶圓代工領域臺灣廠商穩懋一家獨大，企業市場占有率高達企業71.1%；企業下游企業GaAs企業企業市占率前三均被美國廠商把持，企業分別為：Skyworks（32.3%）、Qorvo（26.0%）和企業Broadcom（9.1%），企業CR3企業為企業67.4%。企業大陸企業GaAs企業產業鏈競爭格局處于弱勢，企業在單晶制造、企業外延片中的射頻器件、企業IDM企業中的射頻器件等環節競爭力相對缺失。
GaN企業方面，企業GaN企業器件產業鏈包括上游襯底及外延片、企業中游器件設計與制造和下游產品應用等環節，企業目前行業模式以企業IDM企業為主，企業但設計與制造環節已開始出現分工。企業其中，企業住友電工在企業GaN企業襯底領域一家獨大，企業市場份額超過企業90%，企業外延片龍頭包括企業IQE、企業COMAT企業等；GaN企業制造環節代表性企業包括穩懋、企業富士通和臺積電，企業大陸方面以三安光電為代表。