半導體分立器件行業競爭格局及主要趨勢分析（附報告目錄）
1、行業的競爭格局
相較于國際半導體行業集中度較高、技術創新能力強等特點，我國半導體分立器件制造行業起步晚，并受制于國際半導體公司嚴密的技術封鎖，只能依靠自主創新，逐步提升行業的國產化程度。國際大型半導體公司如意法半導體、威世半導體、新電元、達爾科技、安森美等在我國市場上處于優勢地位，構成我國半導體分立器件市場競爭中的第一梯隊。
通過長期技術積累，少數國內半導體公司已經突破了部分半導體分立器件芯片技術的瓶頸，芯片的研發設計制造能力不斷提高，品牌知名度和市場影響力日益凸顯，盈利能力也明顯增強，形成我國半導體分立器件市場競爭中的第二梯隊。
我國功率半導體分立器件制造行業的第三梯隊主要由大量的器件封裝企業組成，由于缺乏芯片設計制造能力，第三梯隊在我國半導體分立器件市場上的利潤空間低，競爭比較激烈。
相關報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2027年半導體分立器件行業發展前景及投資可行性評估報告》
資料來源：普華有策
（1）國際廠商在中高端市場仍占據優勢地位
與國內半導體分立器件行業集中度較低的發展現狀不同，以歐美為主的國外半導體分立器件行業經過近 60 多年發展已經進入集中度較高的發展階段。從市場集中度來看，全球穩定市場份額下的前十名分立器件廠商市場集中度超過 50%，而這些前十名廠商無論在技術及研發實力、人才儲備、資金實力等各方面都形成了明顯的競爭優勢。中國作為全球最大的新興市場，國際廠商十分重視中國市場帶來的發展機遇，不斷增加研發、技術、資本和人員投入，進行營銷網絡和市場布局，目前國際廠商仍占據中國分立器件市場的優勢地位。
（2）國內廠商錯位競爭，部分領域國產替代進口趨勢明顯
國內行業領先企業通過持續自主創新和技術升級推動產品升級，與國際廠商展開競爭，并憑借銷售渠道和成本競爭力在傳統二極管、三極管、整流橋等產品領域及消費電子、指示燈/顯示屏、照明等細分下游應用領域取得了一定的市場競爭優勢，企業規模持續擴大。在這些細分領域國產替代進口的趨勢已經逐步呈現，行業集中度也將進一步提升，國內龍頭廠商市場份額將進一步擴大。
2、半導體分立器件行業特點
半導體分立器件的技術涵蓋電氣工程中的眾多領域，不同領域知識的結合促進行業交叉邊緣新技術的不斷發展，并帶來廣闊的發展前景。
隨著終端產品的整體技術水平要求越來越高，功率半導體分立器件技術也在市場的推動下不斷向前發展，CAD 設計、離子注入、濺射、多層金屬化、亞微米光刻等先進工藝技術已應用到分立器件生產中，行業內產品的技術含量日益提高、制造難度也相應增大。目前日本和美國等發達國家的功率器件領域，很多 VDMOS（功率場效應管）、IGBT 產品已采用 VLSI（超大規模集成電路）的微細加工工藝進行制作，生產線已大量采用 8 英寸、0.18 微米工藝技術，大大提高了功率半導體分立器件的性能。
產品性能提高的同時，半導體分立器件的產品鏈也在不斷延伸和拓寬。現代功率半導體分立器件向大功率、易驅動和高頻化方向發展。晶閘管、MOSFET 和 IGBT 在其各自領域實現技術和性能的不斷突破，每類產品系列的規格、型號和種類愈加豐富。同時，新型產品如結合晶體管和晶閘管優點的集成門極換流晶閘管（IGCT）及碳化硅、氮化鎵等寬禁帶功率半導體分立器件陸續被研發面世，并開始產業化應用，應用領域也滲透到能源技術、激光技術等前沿領域。
我國半導體分立器件行業的整體技術水平仍落后于日本、韓國、美國和歐洲，國內產品種類較為單一，以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，MOSFET、IGBT 等產品近年才有所發展。目前，我國半導體分立器件制造企業通過持續的引進消化吸收再創新以及自主創新，產品技術含量及性能水平已有大幅提高。部分優質企業在功率二極管及整流橋領域的技術工藝水平已經達到或接近國際先進水平，并憑借其成本、技術優勢逐步實現進口替代。但在部分高端產品領域，目前國內生產技術與國外先進水平尚存在一定的差距。
3、機遇
（1）國家產業政策的支持
半導體分立器件行業因其對國家建設現代信息社會具有舉足輕重的作用，屬于國家重點扶持的行業，為了推動行業的深度發展，國家有關部門相繼出臺了多項優惠政策，為我國半導體分立器件行業的發展營造了良好的市場環境。
（2）全球半導體產業轉移帶來新機遇
基于生產要素成本、市場空間等因素的考慮，全球半導體產業逐漸從歐美、日韓等發達國家和地區向中國轉移。目前，國內外知名的晶圓代工企業、封裝測試企業紛紛在我國設廠生產，我國內半導體行業的發展注入了新的活力。另外，我國半導體分立器件應用領域十分廣泛，擁有龐大的消費群體，市場容量較大，這也給國內的半導體分立器件企業帶來更多的本土優勢。在一系列優惠政策的促進下，國內半導體企業不斷聚集技術、人才等優勢資源，儲備了諸多優秀的自主知識產權，增強了核心競爭力。
（3）半導體分立器件的下游應用領域廣，發展空間大
近年來，國際市場需求持續走高，加之擴大內需政策的刺激作用，電子行業制造業呈現回升跡象，計算機、通信等增量的釋放和存量的升級，大大拉升了對上游半導體分立器件產品的需求。此外，隨著互聯網和網絡應用的不斷深化，我國的產業結構日益調整，5G、新能源、節能環保、智能電網、AR/VR 等新興產業的發展也帶動了我國分立器件的應用范圍。兩個方面的因素疊加，擴大了半導體分立器件的市場需求，給半導體分立器件行業的發展帶來了新機遇。
4、半導體分立器件行業發展趨勢
信息產業數字化、智能化、網絡化的不斷推進，新材料（如 GaN、AlN、SiC、SiGe、銻化物、金剛石、有機材料等）和新技術（如微納米、MEMS、碳納米管等）的不斷涌現，都將對半導體分立器件未來的發展產生深遠的影響，將會從不同的側面促進半導體分立器件向高頻、寬帶、高速、低噪聲、大功率、大電流、高線性、大動態范圍、高效率、高亮度、高靈敏度、低功耗、低成本、高可靠、微小型等方面快速發展。此外，隨著智能移動終端、5G 網絡、物聯網、新能源汽車、大數據、人工智能等新興行業的發展，新型半導體分立器件也將不斷涌現。半導體分立器件未來的發展將會呈現以下趨勢：
（1）新產品、新材料不斷涌現，不斷拓展新的應用領域
當前半導體分立器件產業正在發生深刻的變革，其中新材料成為產業新的發展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注，有望成為新型的半導體材料。SiC、GaN 等半導體材料屬于新興領域，具有極強的應用戰略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺灣等地區已經實現 SiC、GaN 等新材料半導體功率器件的量產。新材料半導體的涌現將不斷提升半導體器件的性能，使得產品能夠滿足更多應用領域的需求。
對國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而 MOSFET、IGBT 等分立器件產品，尤其是高功率器件，由于其技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。目前，國內行業內企業通過多年的技術和資本積累，依托國家產業政策的重點扶持，也已開始布局新型半導體材料領域，并取得了一定成效。
（2）小型化、模塊化、系統化程度不斷提升
未來伴隨著移動智能終端、5G 網絡、物聯網、新能源、AR/VR 等新興行業的發展，新型半導體分立器件將不斷涌現，在替代原有市場應用的同時，將持續開拓新興應用領域。同時，為了使現有半導體分立器件能適應市場需求的快速變化，需要采用新技術、開發新的應用材料、繼續優化完善結構設計、制造工藝和封裝技術等，提高器件的性能。此外，下游電子信息產品小型化、智能化發展趨勢，必然要求內嵌其中的半導體分立器件等關鍵零部件盡可能小型化、微型化以及多功能化。為適應整機裝配效率和提高整機性能可靠性、穩定性的要求，半導體分立器件將趨于體積小型化、組裝模塊化、功能系統化。
（3）產業鏈屬性決定 IDM 將成為主流發展模式
半導體分立器件產業鏈主要包含器件及芯片設計、芯片制造、封裝測試三大工藝環節，根據所涉及經營環節的不同，半導體分立器件制造業的經營模式分為縱向一體化（IDM）以及垂直分工兩種。
由于分立器件在投資規模方面采用 IDM 模式具備經濟效益上的較強可行性，同時半導體分立器件的產品設計和生產工藝都對產品性能產生較大影響，對企業設計與工藝結合能力要求較高，業內領先企業一般沿著原有業務進行產業鏈延伸，逐步完善 IDM模式發展。
由于不同企業的發展歷程及技術優勢不同，分立器件行業發展 IDM 模式有兩種典型路徑：一類是以芯片技術為基礎的公司，該類企業通常在特定品種的分立器件擁有較強的競爭優勢，為客戶提供自主芯片對應的分立器件，在發展過程中逐步補強封測技術和產能。另一類是以封測技術為基礎的公司，該類企業具備“多品種、多規格”的產品系列，可以為客戶提供“一站式”采購服務，在發展過程中不斷發展芯片技術和產能。