功率二極管行業發展現狀、市場規模分析及預測（附報告目錄）
1、功率二極管細分及應用領域
功率二極管是一種相對較早誕生的功率半導體器件，主要用于整流、開關、穩壓等功能，具有工作可靠的特點。功率二極管產品應用廣泛，主要涉及工業照明、家用電器、網絡通訊等行業。
相關報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2027年功率二極管行業全面調研及投資戰略規劃報告》
功率二極管細分及典型應用領域
資料來源：普華有策
目前市場相對分散，行業第一的 Vishay 份額超 10%，其余占比均較低。大陸和中國臺灣廠商有望憑借低成本優勢以及產業扶持政策逐步占據市場，成為功率器件中率先突破的子領域。
2016-2020年我國及全球功率二極管市場規模情況
資料來源：普華有策
2、碳化硅二極管行業情況
碳化硅是第三代半導體材料，與第一二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料。目前碳化硅器件主要用于 600 伏及以上的應用領域，特別是一些對能量效率和空間尺寸要求較高的應用，如電動汽車充電裝置、電動汽車動力系統、光伏微型逆變器領域、服務器電源領域、變頻家電領域等應用。
2019 年全球碳化硅功率半導體市場規模約為 5 億美元，到 2024 年，碳化硅功率半導體市場規模將增長至 20 億美元，其中，汽車市場是最重要的驅動因素，其占碳化硅功率半導體市場比重到 2024 年預計將達 50%。
相比于硅基功率器件的發展路徑，碳化硅功率器件也正在經歷從功率二極管到 IGBT 的發展過程。碳化硅二極管是目前發展最快的碳化硅器件，目前已經在工控、車載等領域率先實現商業化。SiC MOSFET 具備比硅基 IGBT 更好的性能，但是成本是 IGBT 的數倍，在少數領域已經得到應用。SiC IGBT 具備更好的性能，但是目前還處于試驗研發階段，距離商用還有較長距離。
碳化硅功率器件應用領域眾多，其中車載領域最具發展前景。在車載領域，功率器件主要用于 OBC、DC/DC 轉換器、主逆變器和電動壓縮機，應用于雙向OBC 的碳化硅器件能夠縮短充電時間、提高效率、減少電損耗；應用于主驅逆變器的碳化硅器件可以幫助續航里程的增加、減小電池尺寸、降低成本。