薄膜沉積設備市場規模、競爭格局及發展趨勢預測（附報告目錄）
薄膜沉積是指在硅片襯底上沉積一層待處理的薄膜材料。所沉積薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬。沉積的膜可以為無定形、多晶的或者單晶。在晶圓制造過程中，這三種薄膜都會被用到。薄膜沉積設備主要負責各個步驟當中的介質層與金屬層的沉積，包括 CVD（化學氣相沉積）設備、PVD（物理氣相沉積）設備/電鍍設備和 ALD（原子層沉積）設備，其中 ALD 又是屬于 CVD 的一種，是先進制程部分工序節點所需的薄膜沉積設備。
1、薄膜沉積設備市場規模分析
在半導體行業下游需求增長以及技術變革的推動下，全球薄膜沉積設備行業持續穩定發展。數據顯示，2017-2020年全球半導體薄膜沉積設備市場規模從125億美元擴大至約 172 億美元，年均增長率為 11.3%。
相關報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2027年薄膜沉積設備產業全景調研及投資戰略規劃研究分析報告》
2017-2020年全球半導體薄膜沉積設備市場規模分析
資料來源：普華有策
新建晶圓廠設備投資中，晶圓制造相關設備投資額占比約為總體設備投資的80%，薄膜沉積設備作為晶圓制造的三大主設備之一，其投資規模占晶圓制造設備總投資的 25%。
薄膜沉積工藝的不斷發展，形成了較為固定的工藝流程，同時也根據不同的應用演化出了 PECVD、濺射 PVD、ALD、LPCVD 等不同的設備用于晶圓制造的不同工藝。其中，PECVD 是薄膜設備中占比最高的設備類型，占整體薄膜沉積設備市場的 33%；ALD 設備目前占據薄膜沉積設備市場的 11%；SACVD 是新興的設備類型，屬于其他薄膜沉積設備類目下的產品，占比較小。在整個薄膜沉積設備市場，屬于 PVD 的濺射 PVD 和電鍍 ECD 合計占有整體市場的 23%。
2、市場競爭格局及態勢
從全球市場份額來看，薄膜沉積設備行業呈現出高度壟斷的競爭局面，行業基本由應用材料（AMAT）、ASM、泛林半導體（Lam）、東京電子（TEL）等國際巨頭壟斷。2019 年，ALD 設備龍頭東京電子（TEL）和先晶半導體（ASMI）分別占據了 31%和 29%的市場份額，剩下 40%的份額由其他廠商占據；而應用材料（AMAT）則基本壟斷了 PVD 市場，占 85%的比重，處于絕對龍頭地位；在 CVD 市場中，應用材料（AMAT）全球占比約為 30%，連同泛林半導體（Lam）的 21%和 TEL 的 19%，三大廠商占據了全球 70%的市場份額。
3、薄膜沉積設備市場發展趨勢
（1）薄膜沉積設備市場需求穩步增長
隨著半導體行業整體景氣度的提升，全球半導體設備市場呈現快速增長態勢，拉動市場對薄膜沉積設備需求的增加。未來，技術發展將加速下游半導體產品需求增長，全球集成電路制造業產能將進一步擴張，全球半導體薄膜沉積設備市場規模將因此高速增長。
公開信息顯示，長江存儲、上海華力、華虹無錫、上海積塔、中芯紹興、合肥晶合等中國本土晶圓廠正在加大設備采購力度。中國本土晶圓廠建廠的熱潮將一同引領中國半導體薄膜沉積設備的需求增長。
（2）芯片工藝進步及結構復雜化提高薄膜設備需求
隨著集成電路的持續發展，晶圓制造工藝不斷走向精密化，芯片結構的復雜度也不斷提高，需要在更微小的線寬上制造，制造商要求制備的薄膜品種隨之增加，最終用戶對薄膜性能的要求也日益提高。這一趨勢對薄膜沉積設備產生了更高的技術要求，市場對于高性能薄膜設備的依賴逐漸增加。
由于芯片的線寬越來越窄，結構越來越復雜，對于現有薄膜的性能參數精細化要求提高，也衍生出新的設備及薄膜材料的需求。在新薄膜材料方面，更強絕緣性能（低 k）的材料，與低 k 材料配套使用的新型阻擋層材料以及光刻工序中新的光掩膜工藝硬掩模層材料得到應用。
（3）先進產線對薄膜設備需求量陡增
隨著產線的逐漸升級，晶圓廠對薄膜沉積設備數量和性能的需求將繼續隨之提升，在實現相同芯片制造產能的情況下，對薄膜沉積設備的需求量也將相應增加。
未來，5G通信技術、數據中心、智慧城市、汽車電子、人工智能等一系列新技術及市場需求做驅動，將使先進制程產線占比提高，進一步加速薄膜沉積設備市場規模攀升。隨著 3D NAND FLASH 芯片的內部層數不斷增高，對于薄膜沉積設備的需求提升的趨勢亦將延續。
盡管全球半導體設備市場有較強的周期性，但中國大陸半導體產業正面臨前所未有的發展機遇，國家戰略聚焦，巨大市場支撐，產業鏈良性互動，產業資本日漸發力，大陸及國際資本投資的晶圓廠數量不斷增加，制程更加先進，中國薄膜沉積設備行業將保持高成長性，未來中國市場的重要性將進一步提高。