半導體硅外延片行業市場規模及發展趨勢分析預測（附報告目錄）
1、半導體硅外延片行業市場規模增長分析預測
半導體硅外延片主要由多晶硅原材料經過晶體生長、硅片成型和外延生長等工藝制備得到。由于摻雜工藝靈活，厚度、電阻率等器件參數便于調節，半導體硅外延片具有諸多優質特性，可以顯著改善器件反向耐用性、截止頻率等性能。半導體硅外延片被大規模應用于對穩定性、缺陷密度、高電壓及電流耐受性等要求更高的高級半導體器件中，主要包括 MOSFET、晶體管等功率器件，及 CIS、PMIC等模擬器件，終端應用包括汽車、高端裝備制造、能源管理、通信、消費電子等。
隨著新能源汽車、5G 通信、物聯網、智能手機等行業的不斷發展，半導體硅外延片市場規模持續增長。2016-2019國大陸半導體硅外延片市場規模從75億美元增長至89.8億美元,年均增長率為6.3%，2020年我國首次明確提出大力開展新型基礎設施建設。5G、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁和工業互聯網等新型基礎設施均要大量使用功率器件和 CIS、PMIC 等模擬器件。預計相關領域投資建設規模的擴大將帶動半導體硅外延片市場需求持續增長。
相關報告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2027年硅外延片市場競爭格局調研及投資前景可行性分析評估報告》
2016-2020年我國半導體硅外延片市場規模分析
資料來源：普華有策
2、半導體硅外延片行業未來的發展趨勢預測
（1）半導體硅外延片行業下游需求持續增長
近年來，受益于下游功率器件、CIS 和 PMIC 等模擬器件市場規模的高速增長，半導體硅外延片的市場需求也持續擴張。未來，隨著越來越多元的智能終端及可穿戴設備的推出、新能源汽車、5G 通信、物聯網等新應用的普及，MOSFET、晶體管等功率器件及 CIS、PMIC 等模擬芯片產品的使用需求和應用范圍均將進一步擴大，預計半導體硅外延片的市場需求將持續增長。
（2）我國大陸半導體硅外延片行業存在廣闊的進口替代空間
半導體硅外延片是集成電路產業基礎性的原材料，但目前中國大陸半導體硅外延片存在進口依賴，自給率較低，供需缺口較大。而且，由于半導體硅外延片產能建設有較高的資本和技術門檻，產成品還需經過較長時間的下游客戶認證。因此，短期內供需缺口預計難以補足。預計到 2024 年，中國大陸半導體硅外延片約當 8 吋需求量將達到 216.5 萬片/月，而中國大陸半導體硅外延片約當 8 吋供給量約為 148.0 萬片/月，缺口達 68.5 萬片/月，存在較大的進口替代空間。
（3）持續提升半導體硅外延片的穩定性、可靠性、減少缺陷水平成發展方向
與邏輯芯片、存儲芯片等部分產品需要不斷縮減制程以提高運算及存儲能力不同，在功率器件及 PMIC、CIS 等模擬器件等主要應用 8 吋及以下外延片制備的產品領域，由于產品的使用周期較長，且產品需應用在高電壓、大電流環境中，相關產品的技術發展方向主要在提高可靠性、降低失真、減少功耗、提高效率等方面，使用 8 吋及以下外延片有助于提升其質量穩定性及優化成本控制，縮減制程并使用更大尺寸外延片并非短期內必要需求，預計未來上述產品仍將主要使用 8 吋及 8 吋以下外延片。半導體硅外延片制造商需不斷改進并調試生產工藝，優化制造流程，持續提升半導體硅外延片的穩定性、可靠性、減少缺陷水平，以匹配下游客戶提出的愈發多樣化及嚴苛的產品需求。
（4）對于雜質、電阻率均勻性、平整度及過渡區寬度的控制將成為半導體硅外延片的技術研發重點
外延片外延層雜質、電阻率均勻性、外延層平整度和外延層過渡區寬度控制是外延工藝的難點所在，也將成為未來技術研發的主要方向：
1)外延層雜質的控制：外延層中的金屬雜質會顯著降低器件性能，使用吸雜技術能降低外延層中金屬雜質的濃度，預計未來行業內各主要廠商將進一步研發降低外延層雜質含量的技術。
2)外延層電阻率均勻性控制：外延層電阻率均勻性對后續的電路制造有顯著影響，預計未來行業內各主要廠商將通過外延生長過程中溫度和氣體流量的控制進一步改善外延層電阻率均勻性。
3)外延層平整度控制：集成電路制造過程需使用光刻機，外延層表面平整度或將影響光刻機的聚焦和對焦。若外延層平整度較低，可能導致晶圓邊緣區域的線條出現虛影和畸變。預計未來行業內各主要廠商將繼續研發控制外延層平整度的相關技術。
4)外延層過渡區寬度控制：外延層過渡區寬度控制對后續的電路制造有顯著影響。預計未來行業內各主要廠商將加強對外延層過渡區寬度的控制能力，改善半導體硅外延片性能。